绝缘硅晶圆片SOI

内容简介

详细说明:

SOI乃是在硅基材上面另外加上一层厚度介于50奈米至100微米的单晶硅,并在两层单晶硅间隔入一层厚度约0.1-3微米的绝缘体(氧化物)来达到电性的阻绝,应用于组件制造,可具有低消耗功率的特性。

用途:

  1. 先进CMOS IC
  2. 光电组件
  3. 微机电
  4. 高电压/高电流IC

规格:

  1. 客制规格
  2. 提供4″-8″之thick SOI (4″-6″可提供FZ SOI) 及8″-12″之thin SOI
产品联络人
陈锋 Anthony

WAFER MATERIAL BUSINESS UNIT

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