绝缘硅晶圆片SOI
内容简介
详细说明：
SOI乃是在硅基材上面另外加上一层厚度介于50奈米至100微米的单晶硅，并在两层单晶硅间隔入一层厚度约0.1-3微米的绝缘体（氧化物）来达到电性的阻绝，应用于组件制造，可具有低消耗功率的特性。
用途：
- 先进CMOS IC
- 光电组件
- 微机电
- 高电压/高电流IC
规格：
- 客制规格
- 提供4″-8″之thick SOI (4″-6″可提供FZ SOI) 及8″-12″之thin SOI
产品联络人
陈锋 Anthony
WAFER MATERIAL BUSINESS UNIT
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TEL:86-21-6422-0458 ext.334
e-mail:anthony.chen@topco-global.com
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