详细说明：

SOI乃是在硅基材上面另外加上一层厚度介于50奈米至100微米的单晶硅，并在两层单晶硅间隔入一层厚度约0.1-3微米的绝缘体（氧化物）来达到电性的阻绝，应用于组件制造，可具有低消耗功率的特性。

用途：

1. 先进CMOS IC
2. 光电组件
3. 微机电
4. 高电压/高电流IC

规格：

1. 客制规格
2. 提供4″-8″之thick SOI (4″-6″可提供FZ SOI) 及8″-12″之thin SOI